MOS FET继电器（无触点继电器）的基础知识：使用篇

MOS FET继电器（无触点继电器）的基础知识：使用篇

MOS FET继电器的选定方法

请按照以下步骤选定MOS FET继电器。

① 输出侧电压
② 输出侧电流

＊AC时要确认峰值

③ 触点类型的选定 (1a or 1b)

通过规格书选定MOS FET继电器时

按照以下条件通过规格书选定MOS FET继电器时，请确认蓝框所示的各项内容。

【选定条件示例】

① 输出侧电压：60VDC
② 输出侧电流：500ｍA
③ 触点类型：1ab接点

通过参数搜索选定MOS FET继电器时

很多MOS FET继电器商品虽然外形尺寸相同但规格不同，因此使用参数搜索时，推荐缩小上述3项（➀、②、③）范围的方法。

MOS FET继电器推荐工作条件

设计电路时，请将MOS FET继电器的工作电流值设计在规格书记载的“推荐工作条件”范围内。

针对要详细设计电路的用户

MOS FET继电器因没有物理触点，基本上可以半永久使用。因此，通过推定LED的光量来预测寿命。

LED的光量根据各种因素发生变化。电流值越大，光量也越强。此外，光量也会因长期使用产生的劣化而逐渐减弱。因此，为了长久使用，也应考虑经年劣化时的发光量变化。并且，如果在高温环境下使用，驱动MOS FET所需的电压会增高，因此需要比常温下更大的电流。MOS FET继电器无法投入超出额定值的电流。如果没有将此类因素正确纳入设计中，可能会导致设备故障。

1.环境温度的影响
2.LED的经年劣化

在“设计输入侧电源时的电流值概念”中进行了更加详细的说明。

MOS FET继电器的电路示例

以下为使用MOS FET继电器的输入侧/输出侧的电路示例。

MOS FET继电器输入侧的电路示例

输入侧的浪涌电压保护电路

代表性的电路示例如下所示。

驱动电路示例

C-MOS

晶体管

MOS FET继电器输出侧的电路示例

用外置二极管吸收能量时

选定标准：

请使用反向耐压超过电路电压10倍、正向电流大于负载电流的二极管。

用缓冲电路吸收能量时

选定标准：

作为C、R的标准
C：相对于触点电流1A为0.5～1(μF)
R：相对于触点电压1V为0.5～1(Ω)。

但是根据负载的性质和特性差异等有所差异。

C具有触点开放时抑制放电的效果，R具有在下次接通时限制电流的作用，请考虑这些因素后通过实验确认。C的耐压通常请使用200～300V的。AC电路请使用AC用电容器（无极性）。但是，如果触点之间的电弧切断能力在直流高电压下存在问题时，在触点之间连接CR比在负载之间连接更有效，请通过实体机确认。

用压敏电阻切断过电压时

选定标准：
选择压敏电阻切断电压Vc时应满足下述条件。交流电时需要 √2 倍。
Vc > （电源电压×1.5）
但是，如果将Vc设定的过高，就无法切断高电压，因此效果会减弱。

备注：

• 如果使用保护元件，负载侧的恢复时间（切断时间）可能会延迟，因此使用前请务必检查实际负载。
• 在实际安装二极管、缓冲器（C-R）、压敏电阻等保护元件时，应安装在负载或MOS FET的附近。如果距离远，可能无法发挥安装的保护元件的效果。

压敏电阻的选定方法

■请将压敏电阻连接在输出端子两端之间。

■选定方法

压敏电阻电压请勿超过MOS FET继电器的负载电压（VOFF）。

• ESD时：通常使用防静电的叠层片式压敏电阻。

• 在商用AC电源下使用时，请参看下表的“压敏电阻参考标准”。

压敏电阻的参考标准

无触点继电器电路图中出现的电路图符号

无触点继电器电路图使用以下符号。

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